SICK SENSOR FOTOELÉCTRICO WT100-2P3439

Caracteristicas:Principio del sensor/de deteccion    Fotocelula de deteccion sobre objeto, energeticoDimensiones (An x Al x Pr)    11 mm x 31 mm x 20 mmForma de la carcasa (salida de luz)    RectangularAlcance de deteccion max.    0 mm ... 1.200 mm 1)Distancia de conmutacion    0 mm ... 750 mm 1)Tipo de luz    Luz roja visibleFuente de luz    LED 2)Tamano del spot (separacion)    Ø 75 mm (1.000 mm)Longitud de onda    632 nmAjuste    Potenciometro (distancia de conmutacion)1) Material con un 90% de reflectancia (sobre el blanco estandar segun DIN 5033)2) Vida util media de 100.000 h con TU = 25 °C.Mecanica/electronica:Tension de alimentacion    10 V DC ... 30 V DC 1)Ondulacion    ± 10 % 2)Consumo de corriente    ? 30 mA 3)Salida de aviso    PNPModo de conmutacion    Conmutacion en claro/oscuroTipo de conmutacion seleccionable    Opcional, por interruptor giratorio claro/oscuroTension de senal PNP HIGH/LOW    UV - 1,8 V / ca. 0 VCorriente de salida Imax.    100 mATiempo de respuesta    ? 0,5 ms 4)Frecuencia de conmutacion    1.000 Hz 5)Tipo de conexion    Conector M8 de 3 polosProteccion de circuito    A 6)B 7)D 8)Clase de proteccion    IIIMaterial de la carcasa    ABS/PC/POMPlasticoMaterial de elementos opticos    Plastico, PMMAGrado de proteccion    IP 67Elementos suministrados    Escuadra de fijacion BEF-W100-AOperacion a temperatura ambiente    –25 °C ... +55 °CAlmacenamiento a temperatura ambiente    –40 °C ... +70 °C1) Valores limite.2) No se deben sobrepasar por exceso o por defecto las tolerancias de UV.3) Sin carga.4) Duracion de la senal con carga ohmica.5) Con una relacion claro/oscuro de 1:1.6) A = Conexiones UV protegidas contra polarizacion inversa.7) B = Salidas protegidas contra polarizacion inversa.8) D = Salidas a prueba de sobrecorriente y cortocircuitos.